S3JBH Taiwan Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 96-105 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.8 грн |
| 14+ | 24.6 грн |
| 100+ | 10.73 грн |
| 1000+ | 7.46 грн |
| 3000+ | 6.69 грн |
| 9000+ | 5.78 грн |
| 24000+ | 5.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3JBH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції S3JBH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S3JBH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 600V 3A Automotive 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
S3JBH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |