![S3J-E3/57T S3J-E3/57T](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/1/6/6/26/0/890/vsh_/manual/ss34he3_a.jpg)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
850+ | 7.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3J-E3/57T Vishay
Description: VISHAY - S3J-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AB (SMC), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S3J-E, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції S3J-E3/57T за ціною від 7.46 грн до 41.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S3J-E productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|