S3BHE3_A/H Vishay General Semiconductor
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.15 грн |
| 10+ | 35.53 грн |
| 100+ | 23.07 грн |
| 500+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3BHE3_A/H Vishay General Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 100A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 3A, Reverse recovery time: 2.5µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated, Capacitance: 60pF, Max. forward voltage: 1.15V, Case: SMC, Kind of package: reel; tape, Leakage current: 0.25mA, Max. forward impulse current: 100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S3BHE3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S3BHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
S3BHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| S3BHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Reverse recovery time: 2.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 60pF Max. forward voltage: 1.15V Case: SMC Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.25mA Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| S3BHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Reverse recovery time: 2.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 60pF Max. forward voltage: 1.15V Case: SMC Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.25mA Max. forward impulse current: 100A |
товар відсутній |