S2M0016120K SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2237.58 грн |
2+ | 1964.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0016120K SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 140A, Pulsed drain current: 314A, Power dissipation: 714W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 224nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S2M0016120K за ціною від 2266.88 грн до 2685.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S2M0016120K | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Pulsed drain current: 314A Power dissipation: 714W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 224nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|