Технічний опис S29GL256N10TFI010 SPAMSIO
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 56-TSOP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції S29GL256N10TFI010
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| S29GL256N10TFI010 | Виробник : SPANSION |
 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL256N10TFI010 | Виробник : SPANSION |
0619+ TSOP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
S29GL256N10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray |
товар відсутній |
|
|
|
S29GL256N10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray |
товар відсутній |
|
 |
S29GL256N10TFI010 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |