![S1J M2G S1J M2G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/783e79604b33432bb26cfc0781febf657deddbec/do-214acsma.jpg)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 1.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1J M2G Taiwan Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 1A, Reverse recovery time: 1.5µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated, Capacitance: 12pF, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.1V, Max. forward impulse current: 40A, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S1J M2G за ціною від 2.1 грн до 2.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
S1J M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|||||
|
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
S1J M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |