![S1BHE3_A/H S1BHE3_A/H](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/4/14/920/vsh_/manual/85893-pt-medium.jpg)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1BHE3_A/H Vishay
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 1A, Reverse recovery time: 1.8µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 12pF, Case: DO214AC; SMA, Max. forward voltage: 1.1V, Max. forward impulse current: 40A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції S1BHE3_A/H за ціною від 2.83 грн до 33.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
S1BHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
товар відсутній |