S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 2.85 грн |
15000+ | 2.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції S1B-E3/5AT за ціною від 2.39 грн до 18.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 52836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms |
на замовлення 22363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
S1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |