![S07M-GS18 S07M-GS18](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/9/14/830666/vsh_/manual/v3fm15hm3.jpg)
S07M-GS18 Vishay
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S07M-GS18 Vishay
Description: VISHAY - S07M-GS18 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: eSMP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції S07M-GS18 за ціною від 4.32 грн до 38.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: eSMP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 44725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 96961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 93496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: eSMP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 44725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.8us; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO219AB; SMF Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
S07M-GS18 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.8us; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO219AB; SMF Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товар відсутній |