RZM001P02T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.28 грн |
| 16000+ | 1.99 грн |
| 24000+ | 1.88 грн |
| 40000+ | 1.65 грн |
| 56000+ | 1.58 грн |
| 80000+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RZM001P02T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RZM001P02T2L за ціною від 1.87 грн до 20.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RZM001P02T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RZM001P02T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RZM001P02T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -0.4A; 150mW Power dissipation: 0.15W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.4A Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.1A On-state resistance: 3.8Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RZM001P02T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
на замовлення 221512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RZM001P02T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -0.4A; 150mW Power dissipation: 0.15W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.4A Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.1A On-state resistance: 3.8Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RZM001P02T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET |
на замовлення 142600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| RZM001P02T2L |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |