RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 366.97 грн |
| 10+ | 235.31 грн |
| 100+ | 168.22 грн |
| 500+ | 130.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції RX3P10BBHC16 за ціною від 274.66 грн до 585.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3P10BBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RX3P10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|