![RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5722/MFG_846%7ETO220AB%7E%7E3.jpg)
RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor
![rx3p07cbhc16-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 385.47 грн |
10+ | 311.75 грн |
100+ | 252.21 грн |
500+ | 210.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції RX3P07CBHC16 за ціною від 182.04 грн до 441.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RX3P07CBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RX3P07CBHC16 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|