![RW1A030APT2CR RW1A030APT2CR](https://www.mouser.com/images/rohmsemiconductor/lrg/SOT_563_6_SPL.jpg)
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41 грн |
10+ | 33.14 грн |
100+ | 19.61 грн |
500+ | 14.76 грн |
1000+ | 11.03 грн |
2500+ | 10.12 грн |
8000+ | 8.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RW1A030APT2CR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V.
Інші пропозиції RW1A030APT2CR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RW1A030APT2CR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
RW1A030AP T2CR | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 7469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RW1A030APT2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|
![]() |
RW1A030APT2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V |
товар відсутній |