Продукція > ROHM > RV8C010UNHZGG2CR
RV8C010UNHZGG2CR

RV8C010UNHZGG2CR ROHM

rv8c010unhzgg2cr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.42 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 9.36 грн
5000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV8C010UNHZGG2CR ROHM

Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.

Інші пропозиції RV8C010UNHZGG2CR за ціною від 9.16 грн до 44.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR Виробник : ROHM rv8c010unhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+39.09 грн
25+ 32.6 грн
100+ 20.42 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 9.36 грн
5000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR Виробник : ROHM Semiconductor rv8c010unhzgg2cr-e.pdf MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive.
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.36 грн
10+ 37.64 грн
100+ 22.71 грн
500+ 17.71 грн
1000+ 12.84 грн
2500+ 12.2 грн
10000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR Виробник : Rohm Semiconductor rv8c010unhzgg2cr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
товар відсутній