RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 7.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VML0604, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV3C002UNT2CL за ціною від 6.59 грн до 26.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 18915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 5160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0604 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 137450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch |
на замовлення 65214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 150mA; Idm: 600A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: X2-DFN0604-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 600A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.4Ω Drain current: 0.15A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 150mA; Idm: 600A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: X2-DFN0604-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 600A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.4Ω Drain current: 0.15A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |