RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 5.93 грн |
| 16000+ | 5.06 грн |
| 24000+ | 5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VML1006, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV2C010UNT2L за ціною від 5.34 грн до 31.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 37252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 20V 1A Nch Power MOSFET |
на замовлення 183869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 400mW; DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.4W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 1A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 400mW; DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.4W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 1A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |