RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 744000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3 грн |
| 16000+ | 2.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RV1C002UNT2CL за ціною від 2.53 грн до 23.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV1C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV1C002UNT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN0806 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0806 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 758000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C002UNT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV1C002UNT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch Small Signal MOSFET |
на замовлення 24801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RV1C002UNT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 150mA; Idm: 0.6A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: X2-DFN0806-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11.4Ω Drain current: 0.15A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RV1C002UNT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 150mA; Idm: 0.6A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: X2-DFN0806-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11.4Ω Drain current: 0.15A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |