RUE002N02TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.4 грн |
| 6000+ | 3.13 грн |
| 9000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUE002N02TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RUE002N02TL за ціною від 2.58 грн до 26.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUE002N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 54519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUE002N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 29900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUE002N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 6647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUE002N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 23161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RUE002N02TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
RUE002N02TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A |
товару немає в наявності |