RTR030P02FHATL ROHM SEMICONDUCTOR


Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR030P02FHATL ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -12A, Power dissipation: 1W, Case: TSMT3, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.125Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 9.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RTR030P02FHATL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTR030P02FHATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності