RTR020N05HZGTL

RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTR020N05HZGTL за ціною від 12.63 грн до 53.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM 2864530.pdf Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.96 грн
500+ 21.16 грн
1000+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.55 грн
10+ 38.06 грн
100+ 26.44 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTR020N05HZG is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for switching application.
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.97 грн
10+ 41.86 грн
100+ 25.32 грн
500+ 19.82 грн
1000+ 16.08 грн
3000+ 13.61 грн
9000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.89 грн
18+ 45.1 грн
100+ 28.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2A
товар відсутній