![RTQ025P02TR RTQ025P02TR](https://www.mouser.com/images/rohmsemiconductor/lrg/SOT_457T_6_DSL.jpg)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 46.49 грн |
10+ | 40.33 грн |
100+ | 23.9 грн |
500+ | 20.03 грн |
1000+ | 17.08 грн |
3000+ | 15.11 грн |
6000+ | 14.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ025P02TR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RTQ025P02TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RTQ025P02-TR |
на замовлення 501000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
RTQ025P02TR | Виробник : ROH |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
RTQ025P02TR | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
RTQ025P02 TR | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RTQ025P02TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
![]() |
RTQ025P02TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V |
товар відсутній |