![RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE6SOT457-40.jpg)
RTQ025P02HZGTR ROHM
![rtq025p02hzgtr-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.072 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 31.18 грн |
500+ | 24.25 грн |
1000+ | 17.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ025P02HZGTR ROHM
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.072 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm.
Інші пропозиції RTQ025P02HZGTR за ціною від 16.65 грн до 58.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RTQ025P02HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |