RTQ020N03TR

RTQ020N03TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.28 грн
6000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ020N03TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.194 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTQ020N03TR за ціною від 9.06 грн до 42.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
780+15.47 грн
785+ 15.37 грн
960+ 12.56 грн
1035+ 11.24 грн
2000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 780
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
532+22.67 грн
552+ 21.86 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 532
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
532+22.67 грн
552+ 21.86 грн
1000+ 21.14 грн
2500+ 19.78 грн
5000+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 532
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
532+22.67 грн
552+ 21.86 грн
1000+ 21.14 грн
2500+ 19.78 грн
Мінімальне замовлення: 532
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : ROHM datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.194 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.77 грн
26+ 31.38 грн
100+ 19.71 грн
500+ 14.28 грн
1000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.54 грн
10+ 32.43 грн
100+ 22.54 грн
500+ 16.52 грн
1000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.72 грн
10+ 36.05 грн
100+ 21.86 грн
500+ 17.08 грн
1000+ 13.85 грн
3000+ 11.67 грн
9000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)