Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTL030P02TR
RTL030P02TR

RTL030P02TR Rohm Semiconductor

RTL030P02.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.71 грн
10+ 33.83 грн
100+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTL030P02TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RTL030P02TR за ціною від 19.28 грн до 49.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTL030P02TR RTL030P02TR Виробник : Rohm Semiconductor RTL030P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.76 грн
10+ 41.74 грн
100+ 28.89 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTL030P02TR RTL030P02TR Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms09750-1-1742440.pdf MOSFET P-CH 20V 3A
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RTL030P02TR Виробник : ROH RTL030P02.pdf 07+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTL030P02 TR Виробник : ROHM
на замовлення 8195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTL030P02TR Виробник : ROHM RTL030P02.pdf
на замовлення 63200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTL030P02TR Виробник : rohm RTL030P02.pdf 09+
на замовлення 57018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTL030P02TR RTL030P02TR Виробник : Rohm Semiconductor RTL030P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V
товар відсутній