Продукція > ROHM > RSS070P05HZGTB
RSS070P05HZGTB

RSS070P05HZGTB ROHM

rss070p05hzgtb-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS070P05HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.5 грн
11+ 78.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS070P05HZGTB ROHM

Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSS070P05HZGTB за ціною від 43.86 грн до 117.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.96 грн
10+ 86.03 грн
100+ 68.46 грн
500+ 54.36 грн
1000+ 46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf MOSFET AECQ
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.26 грн
10+ 96.19 грн
100+ 66.7 грн
500+ 55.67 грн
1000+ 47.72 грн
2500+ 45.26 грн
5000+ 43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній