![RSR020N06HZGTL RSR020N06HZGTL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2582/TSMT3_TSMT3%20Pkg.jpg)
RSR020N06HZGTL Rohm Semiconductor
![rsr020n06hzgtl-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR020N06HZGTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSR020N06HZGTL за ціною від 13.35 грн до 43.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RSR020N06HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSR020N06HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSR020N06HZGTL | Виробник : ROHM |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 1 Bauform - Transistor: TSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RSR020N06HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSR020N06HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |