![RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/429a99502ea4402efcb96f10b02ad3ba8ccc3a2d/tsmt6.jpg)
RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
790+ | 15.27 грн |
795+ | 15.17 грн |
828+ | 14.57 грн |
1000+ | 13.86 грн |
2000+ | 12.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSQ035N06HZGTR за ціною від 17.71 грн до 57.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |