Продукція > ROHM > RSQ020N03HZGTR
RSQ020N03HZGTR

RSQ020N03HZGTR ROHM

rsq020n03hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.93 грн
500+ 16.71 грн
1000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ020N03HZGTR ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ020N03HZGTR за ціною від 10.65 грн до 66.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.46 грн
18+ 45.62 грн
100+ 28.66 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 11.19 грн
2000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq020n03hzgtr_e-1873232.pdf MOSFETs Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.97 грн
10+ 43.34 грн
100+ 25.34 грн
500+ 19.45 грн
1000+ 16.82 грн
3000+ 13.7 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.02 грн
10+ 40.07 грн
100+ 26.07 грн
500+ 18.81 грн
1000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq020n03hzgtr-e.pdf RSQ020N03HZGTR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності