RSM002P03T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 12.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSM002P03T2L Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSM002P03T2L за ціною від 8.93 грн до 36.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSM002P03T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs P-CH 30V 200MA |
на замовлення 24877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSM002P03T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V |
на замовлення 32600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RSM002P03T2L |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RSM002P03T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW Case: VMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -200mA On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.4A Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| RSM002P03T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW Case: VMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -200mA On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.4A Mounting: SMD |
товар відсутній |