RSD050N10TL Rohm Semiconductor
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
356+ | 33.91 грн |
528+ | 22.85 грн |
530+ | 22.75 грн |
1000+ | 21.64 грн |
2500+ | 19.94 грн |
5000+ | 18.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD050N10TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RSD050N10TL за ціною від 27.34 грн до 80.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RSD050N10TL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 20619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSD050N10TL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3P050SNTL1 |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSD050N10TL |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
RSD050N10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSD050N10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |