RSD050N06TL Rohm Semiconductor
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 283+ | 42.62 грн |
| 309+ | 39.14 грн |
| 318+ | 38.01 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| 1000+ | 31.47 грн |
| 2500+ | 28.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD050N06TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSD050N06TL за ціною від 48.44 грн до 52.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSD050N06TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RSD050N06TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
RSD050N06TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
RSD050N06TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1 |
товар відсутній |