RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 78.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V.
Інші пропозиції RS6R060BHTB1 за ціною від 102.46 грн до 264.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS6R060BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS6R060BHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS6R060BHTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs NCH 150V 60A MOSFET |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS6R060BHTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |