RS3P070ATTB1 ROHM Semiconductor
![rs3p070attb1-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
MOSFET RS3P070AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.52 грн |
10+ | 158.42 грн |
100+ | 109.65 грн |
250+ | 101.21 грн |
500+ | 92.07 грн |
1000+ | 83.64 грн |
2500+ | 72.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3P070ATTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS3P070ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RS3P070ATTB1 за ціною від 60.92 грн до 209.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS3P070ATTB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RS3P070ATTB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
RS3P070ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RS3P070ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RS3P070ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RS3P070ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
RS3P070ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
товар відсутній |