![RS3KHE3_A/H RS3KHE3_A/H](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5791/112%7EDO214AB-SMC%7E%7E2.jpg)
RS3KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![rs3a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
850+ | 20.72 грн |
1700+ | 16.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RS3KHE3_A/H за ціною від 13.45 грн до 48.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS3KHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS3KHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RS3KHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
RS3KHE3_A/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |