RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 70.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS3G160ATTB1 за ціною від 69.02 грн до 225.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS3G160ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS3G160ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS3G160ATTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -40V -16A Power MOSFET |
на замовлення 21670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V |
на замовлення 9165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
RS3G160ATTB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 120nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
RS3G160ATTB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 120nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |