Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS3E135BNGZETB
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

rs3e135bngzetb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+48.2 грн
265+ 46.26 грн
500+ 44.59 грн
1000+ 41.6 грн
2500+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 254
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS3E135BNGZETB за ціною від 26.66 грн до 78.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+48.2 грн
265+ 46.26 грн
500+ 44.59 грн
1000+ 41.6 грн
Мінімальне замовлення: 254
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.49 грн
10+ 57.31 грн
100+ 44.61 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : ROHM Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.84 грн
10+ 63.76 грн
100+ 43.17 грн
500+ 36.61 грн
1000+ 29.77 грн
2500+ 28 грн
5000+ 26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Виробник : Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
товар відсутній