RS1L180GNTB ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RS1L180GN is low on - resistance and high power package MOSFET for Switching.
MOSFET RS1L180GN is low on - resistance and high power package MOSFET for Switching.
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.22 грн |
10+ | 159 грн |
100+ | 110.04 грн |
250+ | 101.58 грн |
500+ | 91.7 грн |
1000+ | 79 грн |
2500+ | 74.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1L180GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 68A, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 39W, Case: HSOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RS1L180GNTB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RS1L180GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
RS1L180GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: RS1L180GN IS LOW ON - RESISTANCE |
товар відсутній |
||
RS1L180GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: RS1L180GN IS LOW ON - RESISTANCE |
товар відсутній |
||
RS1L180GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |