RS1L145GNTB ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFET RS1L145GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.72 грн |
| 10+ | 126.55 грн |
| 100+ | 88.17 грн |
| 250+ | 81.12 грн |
| 500+ | 73.36 грн |
| 1000+ | 62.85 грн |
| 2500+ | 59.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1L145GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 47A; Idm: 58A; 31W; HSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 58A, Power dissipation: 31W, Case: HSOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 14.1mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 37nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RS1L145GNTB за ціною від 77.6 грн до 174.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1L145GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RS1L145GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 47A; Idm: 58A; 31W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Pulsed drain current: 58A Power dissipation: 31W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
RS1L145GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||
| RS1L145GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 47A; Idm: 58A; 31W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Pulsed drain current: 58A Power dissipation: 31W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |