RS1G300GNTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1G300GNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RS1G300GNTB за ціною від 57.63 грн до 154.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1G300GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS1G300GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RS1G300GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V |
на замовлення 16729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RS1G300GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 56.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 56.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |