RS1G150MNTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27 грн |
| 5000+ | 24.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1G150MNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RS1G150MNTB за ціною від 21.47 грн до 70.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1G150MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G150MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V |
на замовлення 5495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1G150MNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 4502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RS1G150MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RS1G150MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 25W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 13.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RS1G150MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 25W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 13.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |