RS1G120MNTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.23 грн |
| 5000+ | 12.1 грн |
| 12500+ | 11.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1G120MNTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RS1G120MNTB за ціною від 10.82 грн до 46.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1G120MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G120MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1G120MNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G120MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G120MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V |
на замовлення 19103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RS1G120MNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 5954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G120MNTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RS1G120MNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RS1G120MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 25W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 40V Drain current: 34A On-state resistance: 20.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 9.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RS1G120MNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 25W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 40V Drain current: 34A On-state resistance: 20.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 9.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |