на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.74 грн |
| 10+ | 98.97 грн |
| 100+ | 71.95 грн |
| 250+ | 66.24 грн |
| 500+ | 60.66 грн |
| 1000+ | 51.99 грн |
| 2500+ | 48.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E350BNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 80A, On-state resistance: 2.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 35W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 185nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 140A, Case: HSOP8, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RS1E350BNTB за ціною від 62.28 грн до 140.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 185nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
RS1E350BNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||
| RS1E350BNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 185nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 |
товар відсутній |