![RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2490616-40.jpg)
RS1E301GNTB1 ROHM
![rs1e301gntb1-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 83.88 грн |
500+ | 65.25 грн |
1000+ | 49.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E301GNTB1 ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RS1E301GNTB1 за ціною від 42.46 грн до 167.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS1E301GNTB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RS1E301GNTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RS1E301GNTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
RS1E301GNTB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 33W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
RS1E301GNTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
RS1E301GNTB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 33W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |