Продукція > ROHM > RS1E301GNTB1
RS1E301GNTB1

RS1E301GNTB1 ROHM


rs1e301gntb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.88 грн
500+ 65.25 грн
1000+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E301GNTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RS1E301GNTB1 за ціною від 42.46 грн до 167.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM rs1e301gntb1-e.pdf Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+125.03 грн
10+ 89.42 грн
100+ 70.9 грн
500+ 57.46 грн
1000+ 42.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1e301gntb1-e-1873228.pdf MOSFET RS1E301GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.06 грн
10+ 148.45 грн
25+ 121.33 грн
100+ 103.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 33W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
товар відсутній
RS1E301GNTB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 33W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній