![RS1E281BNTB1 RS1E281BNTB1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/308/Rohm-HSOP8.jpg)
RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RS1E281BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.77 грн |
10+ | 104.4 грн |
100+ | 83.09 грн |
500+ | 65.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RS1E281BNTB1 за ціною від 103.32 грн до 165.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS1E281BNTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
RS1E281BNTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V |
товар відсутній |