Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1E281BNTB1
RS1E281BNTB1

RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1E281BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.77 грн
10+ 104.4 грн
100+ 83.09 грн
500+ 65.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS1E281BNTB1 за ціною від 103.32 грн до 165.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS1E281BNTB1 RS1E281BNTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs1e281bntb1-e-1873250.pdf MOSFET RS1E281BN is low on-resistance and high power small mold package MOSFET for switching application.
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.64 грн
10+ 147.11 грн
25+ 120.89 грн
100+ 103.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS1E281BNTB1 RS1E281BNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E281BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
товар відсутній