![RS1E130GNTB RS1E130GNTB](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/308/Rohm-HSOP8.jpg)
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.58 грн |
10+ | 35 грн |
100+ | 24.32 грн |
500+ | 17.82 грн |
1000+ | 14.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1E130GNTB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RS1E130GNTB за ціною від 12.16 грн до 46.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS1E130GNTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RS1E130GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V |
товар відсутній |