Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1E130GNTB
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.58 грн
10+ 35 грн
100+ 24.32 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1E130GNTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RS1E130GNTB за ціною від 12.16 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.49 грн
10+ 39.04 грн
100+ 25.37 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 15.39 грн
2500+ 12.23 грн
10000+ 12.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товар відсутній