RRR040P03FRATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 33.75 грн |
| 500+ | 23.72 грн |
| 1000+ | 14.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRR040P03FRATL ROHM
Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RRR040P03FRATL за ціною від 11.89 грн до 46.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RRR040P03FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RRR040P03FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346 Mounting: SMD Application: automotive industry On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| RRR040P03FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346 Mounting: SMD Application: automotive industry On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A |
товар відсутній |