RRH140P03GZETB ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 100.32 грн |
| 500+ | 84.28 грн |
| 1000+ | 66.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRH140P03GZETB ROHM
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RRH140P03GZETB за ціною від 66.33 грн до 188.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RRH140P03GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRH140P03GZETB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRH140P03GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRH140P03GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14A Pulsed drain current: -56A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RRH140P03GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RRH140P03GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14A Pulsed drain current: -56A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товару немає в наявності |