RRH050P03GZETB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.95 грн |
| 10+ | 59.08 грн |
| 100+ | 45.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRH050P03GZETB Rohm Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Pulsed drain current: -20A, Gate charge: 17nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 50mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RRH050P03GZETB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RRH050P03GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Pulsed drain current: -20A Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
RRH050P03GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Pulsed drain current: -20A Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ |
товар відсутній |