Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7E100ATTCR
RQ7E100ATTCR

RQ7E100ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ7E100AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.49 грн
10+ 75.75 грн
100+ 58.93 грн
500+ 46.87 грн
1000+ 38.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7E100ATTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ7E100ATTCR за ціною від 34.74 грн до 102.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ7E100ATTCR RQ7E100ATTCR Виробник : ROHM Semiconductor rq7e100attcr_e-1873287.pdf MOSFETs Pch -30V -10A Small Signal Power MOSFET. RQ7E100AT is low on-resistance MOSFET for switching.
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.39 грн
10+ 82.31 грн
100+ 56.11 грн
500+ 47.55 грн
1000+ 38.7 грн
3000+ 34.89 грн
6000+ 34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ7E100ATTCR RQ7E100ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7E100AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товар відсутній