RQ7E055ATTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.73 грн |
| 6000+ | 28.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ7E055ATTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ7E055ATTCR за ціною від 26.8 грн до 79.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ7E055ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
на замовлення 6326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ7E055ATTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -5.5A Si MOSFET |
на замовлення 3417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|